如果需要进一步的检查，增量制卡住增如超声波检查或X线检查，费用也会相应增加。

配网d）QBT和QBS的HOMO和LUMO能级以及AFM高度图像。此外，省业结通过添加额外的浮栅层和隧穿层，省业结双极型晶体管可以用来制备众所周知的闪存，由于它具有基于捕获/释放机制的双向阈值电压偏移，其可以表现出更大的存储窗口。

c）单晶rubrene（sc-RU），网企pc-RU/sc-RU，TTC/sc-RU以及pc-RU/TTC/sc-RU的AFM形貌图（从上到下）。格机革e）PSC/MoS2异质结器件的转移曲线及其载流子传输示意图。量配c）基于F8BT的发光FET的示意图。

电改（c）WSe2FET的转移特性（d）AFM形貌（顶部）及相应的表面电势（底部）。增量制卡住增h）NDTI-BNT活性层的XRD图案。

配网研究工作汇总：1.Z.Lv, Y.Zhou,*S.-T.Han*andV.A.L.Roy,* Frombiomaterials-baseddatastoragetobio-inspiredartificialsynapse, Mater.Today 2018,21,537.2.Y.Zhai,X.Yang,F.Wang,*Z.Li,G.Ding,Z.Qiu,Y.Wang,Y.Zhou*andS.-T.Han*, Infrared‐SensitiveMemoryBasedonDirect‐GrownMoS2–Upconversion‐NanoparticleHeterostructure, Adv.Mater. 2018, 30,1803563.3.Y.Wang,Z.Lv,Q.Liao,H.Shan,J.Chen,Y.Zhou,*L.Zhou,X.Chen,V.A.L.Roy,*Z.Wang,Z.Xu,Y.-J.ZengandS.-T.Han,* Synergiesofelectrochemicalmetallizationandvalancechangeinall-inorganicperovskitequantumdotsforresistiveswitching, Adv.Mater. 2018, 30, 1800327.4.Y.Wang,Z.Lv,J.Chen,Z.Wang,Y.Zhou,*L.Zhou,X.ChenandS.-T.Han*, PhotonicSynapsesBasedonInorganicPerovskiteQuantumDotsforNeuromorphicComputing, Adv.Mater. 2018,30,1802883.5.X.Chen, Y.Zhou,*V.A.L.Roy*andS.-T.Han,* EvolutionaryMetalOxideClustersforNovelApplications:TowardHigh-DensityDataStorageinNonvolatileMemories, Adv.Mater. 2018,30,1703950.6.Y.Ren,J.-Q.Yang,L.Zhou,J.-Y.Mao,S.-R.Zhang,Y.Zhou*andS.-T.Han*, Gate‐TunableSynapticPlasticitythroughControlledPolarityofChargeTrappinginFullereneComposites, Adv.Funct.Mater. 2018,28,1805599.G.Ding,Y.Wang,G.Zhang,K.Zhou,K.Zeng,Z.Li,Y.Zhou,*C.Zhang,X.Chenand S.-T.Han,* 2DMetal-OrganicFrameworkNanosheetswithTime-DependentandMulti-LevelMemristiveSwitching, Adv.Funct.Mater.2019,29,1806637.C.Zhang,W.B.Ye,K.Zhou,H.-Y.Chen,J.-Q.Yang,G.Ding,X.Chen,Y.Zhou,*L.Zhou,F.LiandS.-T.Han,*Bio-inspiredArtificialSensoryNervebasedonNafionMemristor, Adv.Funct.Mater.2019,29,1808783.Z.Lv,M.Chen,F.Qian,V.A.L.Roy,*W.Ye,D.She,Y.Wang,Z.-X.Xu,Y.Zhou*andS.-T.Han,* MimickingNeuroplasticityinaHybridBiopolymerTransistorbyDualModesModulation, Adv.Funct.Mater.2019,29,1902374.10.L.Zhou,S.Yang,G.Ding,*J.-Q.Yang,Y.Ren,S.-R.Zhang,J.-Y.Mao,Y.Yang,Y.Zhou*andS.-T.Han,* TunableSynapticBehaviorRealizedinC3NCompositebasedMemristor, NanoEnergy 2019,58,293.。

省业结e）HOMO和LUMO的电子分布图以及通过DFT计算获得的DBPy-Me的几何构型。网企d）NP构型的器件电学性能及能带示意图。

格机革f）Ni和Pd接触金属的接触电阻随栅极偏压的变化。量配f）在各种Vin值下获得的反相器的增益值。

电改g）两种有机分子的HOMO/LUMO能级和氧/水电化学氧化还原对之间的能级排列。增量制卡住增g）WSe2/MoS2异质结双通道FET的制备示意图及光学图像。